フィルム空隙の電界分布解析事例

解析テーマ：フィルム空隙の電界分布の評価解析

解析概要：フイルムの内部にはいろいろな形状の塵埃が含まれています。

この塵埃を金属と仮定した場合、そのフイルムを電界中(例えば電子レンジ内)に置いた時に、その塵埃の周囲にどの程度の電場が発生するのか解析しました。

Q = CV [C]

この比例定数 [C] を静電容量と呼び、単位は [F/ファラッド] で表します。
電荷量が 1C で電位差が 1V の場合、1Fとなります。
ただし、通常は 1F の100万分の1 (10－6)である [μF (マイクロファラド)] や、1F の1兆分の 1 (10－12)の pF (ピコファラド)で表すのが一般的です。
タッチセンサをパネルに近づけた時に、静電容量がどのように変化するか解析しました。

解析ツール：電界解析ソフトウェア F-VOLT

モデル概要 (塵埃形状パターン)